技术编号：6889651
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。木发明大体涉及半导体装置，且更明确地说涉及一种集成无闭锁绝缘栅极双极晶体管。背景技术绝缘栅极双极晶体管(IGBT)是双极晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的集成组合，且巳由于其出众的接通状态特性、合理的切换速度和优良安 全操作区域而在商业上变得成功。典型的横向IGBT具有横向位于阳极与阴极之间的栅 极。(见例如，发明人阿德勒(Adler)等人1990年10月16日颁布的第4,963,951号美 国专利；发明人薇莳(Watabe) 199...
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