技术编号：6891155
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般而言涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),且更具体而言，涉及具有碳掺杂源极/漏极区的应变MOSFET 以及形成该MOSFET的方法。背景技术场效应晶体管的沟道区内流过的电流与该沟道区内的载流子(例如，n 型场效应晶体管(n-FET)内的电子以及p型场效应晶体管(p-FET)内的空 穴)的迁移率成正比。沟道区上不同的应变会影响载流子迁移率，并因此影 响电流。例如，p-FET的沟道区上的压应力可以才是高空穴迁移率。相反，n-FET...
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