技术编号：6891617
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。实施例涉及一种制造半导体存储器的方法。其它实施例涉及一种形成相 变层的方法，使用形成相变层的方法制造存储节点的方法，以及应用制造存 储节点的方法制造相变存储器件的方法。背景技术相变材料的分子结构根据它的温度可能为结晶状态或非晶状态。当相变 材料为结晶时，相变材料的电阻可能相对地低。当相变材料为非晶时，相变 材料的电阻可能相对高。相变存储器件使用相变材料的上述特性来记录数据。相变存储器件可能 包括晶体管、以及通过接触插塞电连接到晶体管的源极区和漏极区的存储节...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。