技术编号：6893171
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种多晶硅栅结构，以及这种多晶硅栅结构的制作方法。 背景技术现有的自对准孔需要满足如下特点1.集成度很高。2.孔与栅没有留有足够的间 距甚至有部分重叠。3.要保证有源区的孔与栅电绝缘。 为满足这样的要求，目前的工艺实现方式是在多晶硅栅上盖一层较厚的氮化硅作 为自对准孔的阻挡层，这样孔即使与栅有重合的部分，但是由于有足够厚的氮化硅无法被 刻穿，并且多晶硅的侧面依靠侧墙的保护保证不连通。这样就保证了有源区的自对准孔与 栅是电绝缘的。因...
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