技术编号：6895203
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置，特别涉及半导体装置制造过程对蚀刻深度的控制。背景技术M0SFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)装置在电子方面有很多的应 用，包括在无线电频率/微波放大器中的应用。在这些应用中，栅极漏极反馈 电容必须减少到最小，以使得无线电频率的倍率最大化，并使得信号失真最 小化。在一种硅功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)中，基于适 当的栅极偏压，栅极电极提供接通和断开控制。用于减少DM0S (双扩散金属氧化物半导体)装置的栅极漏极...
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