技术编号：6895953
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体刻蚀制程，尤其涉及一种。 背景技术 焊垫刻蚀的制程通常包括刻蚀，去除光刻胶以及清洗三个步骤。焊垫刻蚀包括如下步骤首先，充入氩气及氧气，清洗焊垫表面，去除残留在焊垫表面上的光阻剂及其他在之前制程中残留的聚合物；然后再充入氩气，氧气，四氟化碳以及三氟化碳的混合气体，从而刻蚀焊垫上的氮化物层；之后充入氩气，氧气，以及八氟化四碳的混合气体，以去除焊垫上的氧化物层；最后充入氩气，氧气及四氟化碳的混合气体，去除氮化钛以及部分的铝层，使铝暴露出来。 在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。