技术编号：6896909
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高速npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管 (DHBT)器件的结构设计，尤其涉及一种InGaAsP组分渐 变集电极结构的npn型InGaAs/InPDHBT外延层结构。背景技术InP基材料有很高的饱和电子迁移速度，可获得高的基极掺杂浓 度，非常适合作为超高速异质结双极性晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)。 InP基HBT的结构用InP材料作发射极，InGaAs 材料作为基极，InGaA...
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