技术编号：6896939
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺，尤其涉及 一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法。背景技术金属蒸发和剥离工艺大量运用于GaAs基和InP基化合物半导体器 件的工艺中。因为在工艺中需要较低的温度，这些材料对处理温度敏 感。为得到边缘平滑的金属线条，光刻胶需要呈倒梯形剖面。这样， 金属在真空腔体中蒸发不会附着在倒梯形光刻胶的侧壁，在剥离过程 中，侧壁的光刻胶直接和剥离液接触，使剥离容易进行。在异质结双极性晶体管(Heterojunctio...
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