技术编号：6896962
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种欧姆电极结构，特别涉及一种用于碳化硅器件的欧姆接触 电极结构及其制造方法。背景技术碳化硅(SiC)是第三代半导体的核心材料之一，与第一代半导体材料如硅 (Si)和第二代半导体材料如砷化镓(GaAs)相比，它具有宽禁带(2.4-3.3eV)、 高热导率(5-7W-cm+K'1)、高饱和载流子漂移速率(2.0xl07cnrs")、高临界击 穿场强(>2.0xl05 V，cm—1)、化学性能稳定、高硬度、抗磨损、高键合能以及抗 辐射等优点等特...
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