技术编号：6896998
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。技术背景铟镓铝氮半导体发光器件广泛的用于全色大屏幕显示、交通信号灯、背光 源、固体照明等。铟镓铝氮半导体发光材料常用的衬底材料是蓝宝石、碳化硅 和硅等材料。将原始衬底上生长的铟镓铝氮薄膜做成发光器件时，会存在以下 缺点发光材料利用率低、散热差、P型透明导电层对光有一定的吸收作用，因而对器件的光电性能存在一定的影响。利用外延片压焊(waferbonding)和湿法 剥离或激光剥离相结合的技术将原始衬底上生长的铟镓铝氮薄膜转移到新衬底 上制备上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。