技术编号：6897546
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种鴒插塞的制造方法。技术背景由于金属钨具有良好的导电特性，且通过气相沉积形成膜层时也具有良好的阶梯覆盖性，因而常被用来做接触插塞(Contact plug)或连接 插塞材料。在公开号为CN 1536642A的中国专利申请文件中，公开了 一种制造钨 插塞的方法。图1至图4为所述的中国专利申请文件公开的制造钨插塞的 方法各步骤相应结构的剖面示意图。请参考图l，在硅基底12上具有双镶嵌结构14，双镶嵌结构14形成于 一介电层16中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。