技术编号：6898679
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，尤其是涉及在槽部 内形成有栅电极的。背景技术目前，公知的有在槽部内形成栅电极的半导体装置。现有的半导体装置是在n+型的埋入区域(第一漏极区域)上含有rT型的漏极漂移区域(第 二漏极区域)。在该漏极漂移区域形成多个槽部，并且，在槽部隔着绝缘 膜形成栅电极。另外，在现有的半导体装置的多个槽部间，形成p型的基 极区域，并且，在该基极区域上形成有n+型的源极区域。另外，在现有的 半导体装置的漏极漂移区域，在多个槽部的侧方形成有漏极引出区域。在 此，现有...
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