技术编号：6900231
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种具有沟槽栅极 结构的半导体器件。背景技术在具有条形沟槽栅极结构的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)中，雪崩电阻(avalanche resistance)受P+基极接触区域 的宽度、间隔和总面积的影响。P+基极接触区域的间隔越窄，则雪崩电 阻增加越多。另一方面，由于沟道区域下降，因此导通电阻(Ron)增 加，其中导通电阻(Ron)是垂直MOSFET的性能指数中的一个。因 此，需要实现增加雪崩电阻，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。