技术编号：6900629
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在半导体晶圆等基板上形成进行等离 子蚀刻等的蚀刻处理时使用的蚀刻掩膜的蚀刻掩膜形成方法、 控制程序以及程序存储介质。背景技术自以往起，在半导体装置等制造工序中，在半导体晶圆等 的基板上实施等离子蚀刻等蚀刻处理而进行微细电路图案等的 形成。在这样的蚀刻处理工序中，通过使用了光致抗蚀剂的光 刻工序来进行蚀刻掩膜的形成。在这样的光刻工序中，为了适应所形成的图案的微细化， 开发了各种的技术。作为其中一种技术，有所谓双图案形成法。 在该双图案形成法...
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