技术编号：6903125
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，并且特别涉及LDM0S晶体管(横向双扩散M0S晶体管)及其制造方法。背景技术具有像开关式稳压器和DC/DC转换器那样的电路的半导体器件用于各种应用中，因此增加半导体器件的输出电流已经变得有必要了。因此，具有低导通电阻的LDM0S晶体管作为提高输出电流的性能的可能的手段已经引起了人们的注意。LDM0S晶体管具有这样的构造，其中与形成在半导体衬底表面上的散区在^方向的扩散长度的差被用作有效沟道长度。在该构造中，、形成短沟道，因此，该结构适合于降低导...
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