技术编号：6905195
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制备，尤其涉及沟槽型匿os管及其制备方法。背景技术MOS管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffect Transistor)的简称，具有双扩散自对准结构的MOS管称为DMOS管。 匿OS器件是由成百上千的单一结构的匿OS单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，mros的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面 积。对于一个由多个基本单元结构组成的匿o...
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