技术编号：6909123

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本发明是有关于一种发光二极管(Light Emitting Diode；LED)结构，特别是有关于可提升亮度的发光二极管结构。附图说明图1所示为已知磷化铝镓铟(AlGaInP)发光二极管的结构剖面图。请参照图1，一般磷化铝镓铟发光二极管是以有机金属化学气相沉积(MOCVDMetal Organic Chemical Vapor Deposition)的方式于以n型砷化镓所构成的基板10上形成一磊晶结构，此磊晶结构可依序包括以n型磷化铝镓铟所构成的局限层(C...
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