技术编号：6913736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，尤其涉及在门栅电极中带有硅化物层的。背景技术 在最近几年里，随着半导体器件的高集成度和微型化需求的增加，门栅电极也变得越来越小。在这种情况下，使多晶硅制成的门栅电极硅化的技术被广泛用作减少门栅电极电阻值以允许高速操作的技术。(专利文献1)日本专利公开说明书Hei 10-209296(专利文献2)日本专利公开说明书Hei 7-37992然而如下所述，由于其中形成硅化物层的多晶硅薄膜，在制造CMOS晶体管中硅化门栅电极时，半导体器件微型化方面所取得...
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