技术编号：6919643
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，特别涉及包括多个重复单元的半导体器件，每个重复单元包括多个存储单元以及一个阱抽头(well tap)，用于把恒定电压提供到形成有构成该存储单元的MOS晶体管的阱(well)中。背景技术 在图10A中，示出在日本未审查专利公告No.8-181225中公开的静态随机存取存储单元(SRAM单元)的平面示图。在图10B中，示出着图10A中的线B10-B10截取的截面视图。活性区500和501由元件隔离绝缘膜505所确定。活性区500被提供在p...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。