技术编号:6921274
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含有噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材 料、含有噻吩化合物的有机晶体管材料以及有机场效应晶体管。背景技术现有的场效应晶体管元件(以下称为FET元件)使用硅或锗等无机 半导体,为了形成电路图案,在任何阶段均需要光刻或真空蒸镀等 耗费制造成本的工艺。 一直用来采用上述制造方法的半导体产业 中,削减制造成本或显示装置的大面积化的要求越来越高。但是, 由于制造装置的限制,所以难以对无机半导体进行低成本化或大面 积化。另外,由于将硅等无机半导体制膜的工...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。