技术编号：6921886
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米技术。特别地，本发明涉及形成具有相同的晶体取 向的 一对隔离电极和具有互连该电极对的纳米线的器件。背景技术自其开始以来，半导体技术的一贯趋势是趋于越来越小的器件尺寸 和越来越高的器件密度。结果，近来迅猛增长并引起相当关注的一个半 导体是纳米技术。纳米技术涉及制备及应用所谓的纳米级结构，即有至少一个在lnm和200nm之间的线性尺寸的结构。这些纳米级 结构通常是常规半导体结构的5到IOO倍那么小。纳米线是仅举几例如纳米级场效应晶体管(FET) ...
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