技术编号：6922610
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明的详细说明发明所属的技术技术本发明涉及一种低介电系数二氧化硅类涂层处理方法，具体而言，涉及一种利用金属镶嵌法形成多层布线结构的介电系数小于2.7的二氧化硅类涂层的处理方法。现有技术对导体器件的高集成化的要求是越来越高，目前已进入栅长0.13μm时代，作为此时的布线材料已采用铜来代替传统的铝，这将产生如下所述的提高半导体器件性能的优点。与铝相比，铜的耐EM(电迁徒性)好，铜电阻低，从而降低了布线电阻引起的信号迟延，可使用高电流密度，即允许电流密度缓和了3...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。