技术编号：6923142
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及外延半导体结构，尤其是用于制造电子部件的外延硅晶片，还涉及其制备方法。更具体而言，该外延结构包括用N型掺杂剂(N+ ) 或P型掺杂剂(P+)重掺杂的单晶硅衬底以及用N型掺杂剂(N-)轻掺 杂的外延层，其中衬底中的氧沉淀受到抑制。背景技术通常通过直拉(Czochralski)法来制备单晶硅(其是用于制造半导体 电子部件的大多数工艺的起始材料)，其中将单个的籽晶浸入到熔化的硅中，然后通过拉拔进行生长。由于熔化的硅#包含在石英坩埚中，因此熔化的硅会...
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