技术编号:6925487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率电子设备(power electronics)的领域,并且更加具体地涉及根 据权利要求1的序言的用于制造反向导通半导体器件的方法和根据权利要求12的序言的 反向导通半导体器件以及根据权利要求16的具有这样的反向导通半导体器件的变换器。背景技术在US2005/0017290中描述了反向导通半导体器件10,也叫作反向导通绝缘栅双 极晶体管(RC-IGBT),其在一片晶圆内包括具有内建续流二极管的绝缘栅双极晶体管。如在 图1中示出,这样的反向导通半...
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