技术编号：6929633
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及MOS晶体管及其制作方法。 背景技术随着半导体工业朝更小、速度更快的器件发展，半导体器件的特征横向尺寸和深 度逐渐减小，要求源/漏极以及源/漏极延伸区(Source/DrainExtension)相应地变浅，当 前工艺水平要求半导体器件的源/漏极结的深度小于1000埃，而且最终可能要求结的深度 在200埃或者更小的数量级。当前源/漏极结几乎都是以离子注入法来进行掺杂形成。随 着电子元件的尺寸缩小，如何以毫微米的工艺技术制造金属-氧...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。