技术编号：6929766
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种快闪存储器，尤其涉及一种电荷陷阱单元(SONOS)快闪存储器及 其形成方法。背景技术通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失 性存储器易于在电源中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在供电电源关闭后仍能保 持片内信息。与其它的非易失性存储技术(例如，磁盘驱动器)相比，非易失性半导体存储 器具有成本低、密度大的特点。因此，非易失性存储器已广泛地应用于各个领域，包括嵌入 式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。