技术编号：6930800
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米特征尺寸半导体器件制备，尤其涉及一种用于纳米尺度P型金属氧化物半导体器件制造的铪硅铝氧氮(HfSiAlON)高介电常数栅介质的制备方法， 以解决随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的 问题，同时有利于解决P型金属氧化物半导体器件金属栅功函数调整的问题。背景技术40多年来，集成电路技术按摩尔定律持续发展，特征尺寸不断缩小，集成度不断提 高，功能越来越强。随着器件尺寸的不断减小，栅氧化层厚度随之减薄。目前，金属氧化...
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