技术编号：6935182
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施例涉及一种半导体装置并涉及一种半导体基底，更 具体地说，涉及均包括设置在主主体区下的栅极图案的一种半导体装置及一种半导体基底。背景技术近来，已经使用了由单个晶体管构造的没有电容器的传统的1-晶体管动 态随机存取存储器(1-T DRAM)。能够利用简单的制造工艺来制造1 -T' DRAM, 并且1-T DRAM具有改善了的读出容限(sensing margin)。然而，会有一些与传统的l-T DRAM相关的困难，例如，栅极图案WL 和每个掺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。