技术编号:6935770
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体晶圆等被处理基板上形成氧化锆系膜的成膜方法及成膜装置。背景技术近来,由于LSI的高集成化、高速化的要求,构成LSI的半导体元件的设计规则更加细微化。随之,要求DRAM等所采用的电容器的容量上升,要求电介质膜的高介电常数化。这样的电解质膜为了获得更高的介电常数而需要结晶化,进一步要求更高结晶性的膜。另外,由于设备的原因而热预算存在制约,期望一种能在低温下进行成膜、结晶化的膜。作为可应用于这些用途的高介电常数材料,研究了氧化锆(Zr02)...
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