技术编号：6938532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种快闪存储器，尤其涉及一种电荷陷阱单元(S0N0Q快闪存储器及 其形成方法。背景技术在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型模拟电路、数字电路 和数/模混合电路，其中存储器件是数字电路中的一个重要类型。而在存储器件中，近年来 闪速存储器(flash memory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情 况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而 在微机、自动化控制等多项领域得到了...
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