技术编号：6939685
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作，具体涉及一种分栅型非易失性存储器及其制造方法。 背景技术非易失性存储器(Non-volatile Memory, NVM)是一种具有M0S晶体管结构的存 储单元，因具有可多次进行数据的存入，读取，抹除等特性，且存入的数据在断电之后也不会消失，因此被广泛应用于个人计算机和电子设备。然而，随着半导体组件朝小型化逐渐发 展，存储器的尺寸也随着线宽减少而縮小，连带使得非挥发性存储器中的源极对浮置栅极 的耦合面积大幅降低。 通常，非易失性存储器...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。