技术编号：6939697
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及CMOS晶体管及其制作方法。 背景技术互补式金属氧化物半导体(CM0Q晶体管是现代逻辑电路中的基本单元，其中包 含PMOS与NM0S，而每一个PMOS (NMOS)晶体管都位于掺杂井上，且都由栅极(Gate)两侧基 底中ρ型(η型)极/漏极区以及源极区与漏极区间的通道(Channel)构成。现有形成CMOS的工艺如图1至图3，参考图1，首先提供半导体衬底100，所述半 导体衬底100内包括η型掺杂阱102、P型掺杂阱1...
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