基于非对称异维结构的光电导传感器的制作方法技术资料下载

技术编号:6940657

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本发明涉及一种光电导传感器件,尤其涉及一种基于非对称异维结构的光电导传感器。 背景技术利用宏观体材料设计和制作的光电传感器已经广泛应用于各个领域,如金属一金 属异质结、金属一半导体复合材料异质结、半导体一半导体复合材料异质结等等。文献资 料表明,金属氧化物纳米材料具有不同于宏观体材料的优异的光电子学性能,如氧化钛属 于宽带隙半导体光电功能材料,它被广泛应用于太阳能电池和传感器中,例如文献[Kong XZ, Liu CX, DongW, Zhang XD, ...
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