技术编号：6940761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种。 背景技术随着半导体器件制造技术的飞速发展，半导体器件已经具有深亚微米结构，集成电路中包含巨大数量的半导体器件，在如此大规模集成电路中，通常采用多层互连结构，特别是利用双镶嵌工艺形成的多层互连结构，其预先在层间介质层中形成沟槽，然后用导电材料例如铜填充所述沟槽。而对于与金属互连线电相连的焊盘结构(pad)而言，因其与多层金属互连线结构相比具有相对较大的尺寸，在兼顾器件性能与制作成本的情况下，仍广泛应用金属铝来制造...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。