技术编号：6941064
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属-绝缘体-金属(MIM，metal-insulator-metal)电容器结构及其制作工艺，尤其是一种涉及铜互连技术的MIM电容器结构及其制造工艺，属于半导体 制造。背景技术随着超大规模集成电路的发展，为了按照摩尔定律的缩放比例创建单元面积增大的电容，与此同时确保各种应用所需的高水平性能(泄漏、击穿或电压线性)，MIM电容器就 是关键的元器件。MIM电容器通常是一种三明治结构，其上层金属电极和下层金属电极之间 被一层薄绝缘层隔离。在传统的...
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