技术编号:6942047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明本发明涉及一种LED外延片及其生长方法,特别涉及一种提高其抗静电能力的氮化镓基LED外延片及其生长方法,属于半导体。背景技术氮化镓基材料,包括InGaN、GaN, AlGaN合金,为直接带隙半导体,且带隙从1. 8 6. 2eV连续可调,是生产高亮度蓝、绿光和白光LED的首选材料,广泛应用于全彩大屏幕显示、LCD背光源、信号灯、照明等领域。一般采用ITO作为电极的GaN LED器件,因为ITO与pGaN直接接触普遍不良,会造成电流密度不均勻,局部电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。