带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管的制作方法技术资料下载

技术编号:6943291

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本发明属于半导体功率器件,涉及一种纵向高压功率器件,更具体的说, 是关于一种同时具有快速开关和低导通电阻的带表面缓冲环终端结构的纵向超结金属氧 化物场效应晶体管。背景技术超结金属氧化物场效应晶体管是一种具有金属氧化物半导体晶体管的绝缘栅结 构优点同时具有高电流密度低导通电阻优点的新型器件,它是一种能用于有效地降低传统 的功率金属氧化物半导体场效应晶体管的导电损耗的功率半导体器件。它是基于电荷平衡 原理的电荷补偿型器件。传统高压功率金属氧化物半导体场效应晶体...
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