技术编号：6944337
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有分裂栅型的非易失性存储器的半导体存储装置及其制造方 法。背景技术在具有分裂栅型的非易失性存储器的半导体存储装置中，有的半导体存储装置 具有如下结构的存储单元在基板101的主面形成有隔着沟道区域的一对杂质区域102a、 102b，在沟道区域上经由栅极绝缘膜103形成有选择栅极(Select gate)电极104，在选择 栅极电极104的两侧面及沟道区域(杂质区域102a、102b与选择栅极电极104之间的区域 的沟道区域)的表面，经由栅极分...
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