技术编号:6945280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造及设计领域,特别涉及一种具有原位掺杂源漏的M0S管结 构及其形成方法。背景技术随着场效应晶体管特征尺寸的不断缩小,其工作速度也越来越快,但是目前的特 征尺寸已接近了极限,因此想通过继续缩小特征尺寸来提高速度则将会变得越来越困难和 难以实现。因此有必要通过其他方式来提高器件的速度,例如通过采用Ge或高Ge组分的 SiGe材料作为沟道材料以提高载流子的迁移率。但是,由于Ge或高Ge组分的SiGe材料不 耐高温,且AS、P及B等掺杂元素在Ge...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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