技术编号：6947130
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体器件制造领域，具体地，涉及向半导体器件提供电功率 的电网结构及其制造方法。背景技术随着诸如晶体管(例如，硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)和/或各种类型的 场效应晶体管(FET))的半导体器件的性能的不断改进，对各种类型的半导体器件的电功 率或电流供给的需求也不断增加。通常，通过一组电互连供给在半导体芯片上制造的这些 半导体器件所使用的电流，这组电互连的作用就像半导体芯片的“电网”，因此在下文中也 如此称呼这组电互连。电网将电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。