技术编号：6947174
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有漂移区的半导体部件。 背景技术诸如功率M0SFET、功率IGBT或功率二极管之类的功率半导体部件包括通常低掺 杂的漂移区，该漂移区被布置在两个连接区之间并且其中当该部件阻断时空间电荷区扩 展。这个漂移区的特性有效地决定部件的导通电阻及其阻断电压能力。研发功率半导体部 件的一个目标是减小比导通电阻(specific on-resistance)RDSon-A,即对于给定的芯片面 积，制作具有尽可能高的阻断性但却具有低导通电阻的部件。一种减小具有...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。