技术编号：6947999
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体存储器的制造，具体涉及一种制备内嵌高密度钯纳米 晶介质薄膜的方法，可用于闪存器件中的电荷俘获层。背景技术随着半导体工艺技术的不断发展，在过去的几十年里，快闪存储器市场迅速发展， 根据2007年的ITRS预测，到2020年，快闪存储器单元的尺寸将减小到lOOOnm2。传统的 基于多晶硅浮栅的非挥发性快闪存储器在65纳米技术节点之后面临了一系列问题，最主 要的是隧穿氧化层减薄导致的数据保持能力退化[1]。与传统的浮栅结构相比，采用分立电 荷存储...
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