技术编号：6948020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及衬底的等离子体离子注入的系统和方法，更特别地，涉及至少部分地 补偿被注入的离子和衬底之间的相互作用的非期望效应的方法。背景技术离子注入是将电导率变化的杂质引入半导体晶片的标准技术。在传统的射束线 (beamline)离子注入系统中，所需的杂质材料在离子源中被离子化，离子被加速以形成规 定能量的离子束，并且离子束被指引到晶片的表面。离子束中的高能离子透入半导体材料 的本体，并嵌入半导体材料的晶格中以形成所需电导率的区。半导体工业中众所周知的趋势是更...
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