技术编号:6948430
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由位于硅晶片之上由化合物半导体(compoundsemiconductors)或 其他的晶格不相称半导体材料(lattice-mismatchedsemiconductors)所制成的半导体 二极管及其制造方法,尤其涉及如发光二极管(light emitting diode)、激光、光电压 (photovoltaics)及其他光电子(optoelectronic)用途的光电应用。背景技术本节中提供了背景资料并介绍了于下文中所描述及/或所主张的权利...
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