技术编号:6948616
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由式InxALyGa l_x-yN(0彡χ彡1、0彡y彡1、0彡x+y彡1)表达的 III族氮化物半导体构成的III族氮化物半导体装置,尤其涉及具有由III族氮化物半导体氧化 产生氧化膜的III族氮化物。背景技术具有组分为InxALyGl-x-yN的III族氮化物半导体(即所谓的氮化镓系(GaN)化合 物半导体)电子的能带间跃迁是直接跃迁,而且能带间隙在1.95eV-6eV间很宽的范围内变 化,适于用作LED、半导体激光器等发光器件的材料。近年来...
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