技术编号：6948729
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，尤其是涉及一种 采用金属化合物(如TaN)作为中间层，通过改变中间层的厚度来调节金属与N型锗肖特基 接触势垒高度的方法。背景技术近年来，采用高介电常数栅介质的金属一氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET) 特征尺寸的减小接近其物理极限，使得具有高电子和空穴迁移率的锗材料成为下一代集 成电路的热门候选材料之一。目前，人们在锗的pMOSFET器件上取得长足进步，但是在 nMOSFET上却遇到很多困难。最...
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