技术编号：6950021
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及，具体来说，涉及一种具有低寄生电阻的接触塞的半导体器件及其制造方法。背景技术随着半导体技术的飞速发展，22纳米及以下技术MOS工艺集成电路关键核心技术的应用是集成电路发展的必然趋势，也是国际上主要半导体公司和研究组织竞相研发的课题之一。目前，针对源极/漏极工程的研究主要包括超浅低阻PN结源/漏技术、低肖特基势垒金属源/漏技术、抬升源/漏技术和钨(W)/铜(Cu)混合接触塞技术等。传统的接触塞填充材料是W，而随着CMOS工艺进入到32纳米及以下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。