技术编号:6951675
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及衬底处理方法、程序、计算机可读的记录介质以及衬底处理系统。 背景技术在制造例如半导体器件的处理的光刻工艺中,例如,顺序执行以下处理以在晶片 (wafer)表面上的抗蚀剂膜中形成预定图形将抗蚀剂溶剂涂到晶片表面上以形成抗蚀剂 膜的抗蚀剂涂敷操作,以预定图形将光施加到晶片表面上的抗蚀剂膜以曝光该抗蚀剂膜的 曝光处理,对晶片加热以加速所曝光的抗蚀剂膜中的化学反应的加热处理(曝光后烘),对 已经经受过加热处理的晶片进行显影的显影操作等等。附带地,为了图形...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。