技术编号：6954285
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体部件本发明的实施例涉及一种具有沟道区的半导体部件。技术背景在工作期间，半导体部件因为在高电压同时具有的高电流密度而被加热。这种 加热可以是比较均勻的，或是因为电流丝化(filamentation)而限定于局部。当半导体部件工作在所谓的稳定温度点之下时，电流丝化可发生在足够高的电 压下，并可导致半导体部件的破坏。因此，为了防止过度加热和电流丝化，例如正向电流、dl/dt、dU/dt、温度等等 电学参数通常被恰当地限定，以在工作期间不超过安全范围60A范...
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