技术编号：6956124
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，具体涉及一种使用带浮栅的碰撞 电离型MOSFET来作为基本结构的非挥发性存储器及其制造方法，属于50纳米以下的非挥 发性存储器。背景技术存储器大致可分为两类挥发性存储器和非挥发性存储器。挥发性存储器在系统 关闭时立即失去存储在内的信息，它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的随机存储 器(RAM)都属于挥发性存储器。非挥发性存储器在系统关闭或者无电源供应时仍能继续保 持数据信息。非挥发性存储器又可分为两类，电荷阱型存储器和浮栅型存储器。在浮栅型...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。